ReRAM Chip Memori 100 kali lebih cepat

Sebuah Chip Memori jenis baru dari chip memori yang terbuat dari silikon bisa menjadi seratus kali lebih cepat dari chip flash memori standar, menurut sebuah studi baru dari para ilmuwan Inggris.

Para peneliti di University College London (UCL) dilaporkan dalam Journal of Applied Physics bahwa mereka telah mengembangkan jenis baru RAM resistif (atau ReRAM) chip memori yang dapat beroperasi dalam kondisi kamar.

Chip memori ReRAM didasarkan pada bahan yang perubahan hambatan listrik bila tegangan diterapkan, dan mereka "mengingat" perubahan bahkan ketika power dimatikan.

Mereka berjanji penyimpanan memori secara signifikan lebih besar daripada teknologi saat ini, seperti memori Flash digunakan pada stik USB, dan membutuhkan energi yang banyak dan ruang.

Tapi prototipe sebelumnya membutuhkan lingkungan vakum untuk bekerja, yang tidak perlu untuk chip baru yang dikembangkan oleh para peneliti UCL. Chip baru itu memiliki potensi lebih besar dalam aplikasi.

"ReRAM  chip memori membutuhkan hanya seperseribu energi dan sekitar seratus kali lebih cepat dari chip memori flash standar," kata Dr Tony Kenyon di UCL.

"Fakta bahwa perangkat dapat beroperasi dalam kondisi ambien dan memiliki resistensi yang terus variabel membuka sejumlah besar aplikasi potensial."

Sama seperti banyak penemuan dalam sejarah ilmu pengetahuan, yang satu ini juga hasil dari kecelakaan. Tim ini bekerja pada menggunakan bahan oksida silikon untuk menghasilkan berbasis silikon Dioda cahaya (LED), tetapi kemudian melihat perangkat mereka tampak tidak stabil dalam suatu kecelakaan.

Sementara memeriksa sifat listrik materi, peneliti menemukan bahwa mereka telah mendapatkan kemampuan untuk mengingat hambatan listrik, yang menyebabkan pengembangan dari chip memori baru.